Qualcomm и Samsung совместно представили новейший чипсет Qualcomm. Snapdragon 835 построен на последнем FinFET 10nm техпроцессе разработанном совсем недавно компанией Samsung. По сравнению с FinFET 14nm техпроцессе, новый увеличивает эффективную площадь поверхности на 30% , а производительность на 27%, при снижении энергопотребления на 40%. Так же уменьшаются и физические размер чипсета, что позволяет производителям использовать более крупные батареи. Подробные спецификации на новый SoC не были объявлеными, но из сказаного известно, что он поддерживает новое поколение технологии быстрой зарядки от компании Qualcomm под названием Quick Charge 4.0. Это позволит заряжать смартфон на 20% быстрее, чем QC 3.0. Чипсет использует третье поколение технологии Inov, которая в режиме реального времени оценивает температуру батареи во время зарядки и управляет процессом зарядки, соответственно, чтобы избежать перегрева и уменьшить износ батареи. Новая технология будет работать с зарядными устройствами 6А. Ожидается , что первые мобильные устройства, базирующиеся на чипсете Snapdragon 835 с Quick Charge 4.0 появится в начале 2017.